半导体产业网获悉：近日，湖北九峰山实验室工艺中心柳俊教授、向诗力教授团队，联合伊比利亚纳米国际实验室尹红教授与松山湖材料实验室访问研究员余志鹏教授，在8寸wafer上成功制造出了世界上首个基于该技术的Lg= 85 nm的T-gate结构，其制造良率＞90 %，将为 ...